Alle Branchen

Zuverlässigkeit in der Halbleiterindustrie

Enge Prozessfenster, hohe Datendichte und neue Technologien verlangen eine klare Trennung von Prozessstreuung, Messunsicherheit und tatsächlicher Zuverlässigkeitsänderung.

Halbleiter-Projekt besprechen
Halbleiter-Wafer in einer präzisen Fertigungs- und Prüfumgebung
01

Halbleiterqualifikation braucht Missionsprofil, Mechanismus und statistische Evidenz

Halbleiter-Zuverlässigkeit wird nicht allein durch das Bestehen einer Qualifikationsnorm bestimmt. Für MOSFET, IGBT, Sensor-ASIC oder Mikrocontroller muss klar sein, welche elektrischen und thermischen Belastungen im späteren Produkt auftreten und welche Mechanismen durch HTOL, Temperaturwechsel, Feuchte- oder Power-Cycling-Tests tatsächlich abgedeckt werden.

RelTest unterstützt bei Semiconductor Reliability, AEC-Q-orientierter Qualifikation, DoE, Stichproben- und Ausfallplanung sowie der Verbindung von Wafer-, Package- und Applikationsdaten. Das Ergebnis ist eine Evidenzkette vom Missionsprofil bis zur Freigabe – inklusive Grenzen und verbleibender Unsicherheit.

Viele Daten ersetzen kein Modell für den Ausfallmechanismus.

RelTest strukturiert Stressbedingungen, Einflussgrößen und Zielgrößen so, dass Qualifikations- und Lebensdauerdaten eine technische Aussage tragen. DoE schafft dabei Effizienz, ohne kritische Wechselwirkungen auszublenden.

  • TechnologieBauteil, Anwendung und relevante Degradationsmechanismen abgrenzen.
  • StressTemperatur, Feuchte, Spannung und Lastwechsel mechanistisch planen.
  • StatistikStreuung, Zensierung und Stichprobeneffekte korrekt modellieren.
  • QualifikationErgebnisse nachvollziehbar gegen Ziel und Einsatz bewerten.
02

Qualifikationslogik nach Halbleiterfunktion

Bauelementtyp, Package und Einsatzprofil entscheiden darüber, welche Belastung beschleunigt werden kann und welche Aussage daraus zulässig ist.

Leistungs-MOSFET oder IGBT

Strom, Sperrspannung, Temperaturhub und Kühlpfad erzeugen zyklische und zeitabhängige Belastungen.

RisikofeldBond- und Lotermüdung, Gate-Oxid-Degradation, Delamination und Anstieg des thermischen Widerstands.

NachweisPower Cycling, HTOL, elektrische Kennwerte und missionsprofilbasierte Extrapolation mit klarer Ausfallgrenze.

MEMS- oder Sensor-ASIC

Mechanische Struktur, Packaging, Kalibrierung und Signalverarbeitung bestimmen gemeinsam die Messgüte.

RisikofeldOffsetdrift, Stiction, Feuchteeinfluss, Package-Stress und schleichende Parameteränderung.

NachweisTemperatur- und Feuchtematrix, Driftmodell, Lotvergleich und Messsystemanalyse.

Mikrocontroller im sicherheitsrelevanten System

Siliziumzuverlässigkeit, Speicher, Diagnose und Applikationslast müssen als System betrachtet werden.

RisikofeldLatente Defekte, Alterung, Speicherfehler, Common-Cause-Anteile und unzureichende Diagnoseabdeckung.

NachweisQualifikationsdaten, FMEDA-nahe Annahmen, Felddaten und anwendungsbezogene Robustheitsnachweise.

03

Evidenzkette vom Wafer bis zur Applikation

Prozessdaten, Package-Qualifikation und das Lastprofil der Anwendung beantworten unterschiedliche Teile derselben Zuverlässigkeitsfrage. Die durchgängige Evidenzkette zeigt, was bereits nachgewiesen ist und wo applikationsspezifische Lücken verbleiben.

Wafer, Halbleiter-Die, geöffnetes Package und Leistungselektronik-Prüfaufbau als zusammenhängende Evidenzkette
Wafer, Halbleiter-Die, geöffnetes Package und Leistungselektronik-Prüfaufbau als zusammenhängende Evidenzkette

Projektbeispiel: Aus generischen Qualifikationstests eine applikationsbezogene Freigabe ableiten

Ausgangslage
Ein Leistungshalbleiter erfüllt Standardprüfungen, soll aber in einem neuen Lastprofil mit größeren Temperaturhüben und längerer Ziellebensdauer eingesetzt werden.
Vorgehen
RelTest übersetzt das Missionsprofil in relevante Stressgrößen, prüft Beschleunigungsannahmen, bewertet vorhandene Qualifikations- und Lotdaten und plant ergänzende Power-Cycling- beziehungsweise Robustheitsversuche.
Ergebnis
Die Freigabe trennt belegte Bereiche, modellbasierte Extrapolation und offene Risiken. Zusätzliche Tests werden nur dort eingesetzt, wo sie die Entscheidung tatsächlich verändern.

Ergebnisse: Missionsprofil-Übersetzung · Evidenz- und Lückenanalyse · Stichproben- und Testplan · Freigabeargumentation mit Unsicherheit

04

Power-Cycling-Prüfung mit Degradationsmerkmal

Beim Power Cycling wird nicht nur bis zum Ausfall gezählt. Der thermische Widerstand macht fortschreitende Degradation sichtbar und erlaubt, Beschleunigungsannahmen, Abbruchkriterium und Lebensdauermodell technisch aufeinander abzustimmen.

Leistungshalbleitermodul im Power-Cycling-Prüfstand mit Temperaturmessung und Degradationstrend
Leistungshalbleitermodul im Power-Cycling-Prüfstand mit Temperaturmessung und Degradationstrend
05

Datenintensive Halbleiterprojekte belastbar entscheiden

Wir unterstützen bei Produktqualifikation und robusten Prozessen ebenso wie bei Zuverlässigkeitsfragen an Fertigungs- und Prüfequipment.

Mechanismen und Zuverlässigkeitsmodelle

Wir übersetzen technologische Besonderheiten und Einsatzbedingungen in bewertbare Zuverlässigkeitsziele und geeignete Lebensdauermodelle.

Schwerpunkte: Degradationsmechanismen · Beschleunigungsmodelle · Zuverlässigkeitsziele

Leistung im Detail

Qualifikations- und Produktrisiken

Risiken werden nach Mechanismus, Kritikalität und Nachweisbedarf priorisiert. Die technische Dokumentation macht Annahmen und Grenzen transparent.

Schwerpunkte: AEC-Q100-Kontext · Risikobewertung · Qualifikationsstrategie

Leistung im Detail

DoE und statistische Datenanalyse

Wir planen effiziente Faktorstudien, modellieren Antwortgrößen und bewerten Lebensdauer- und Stressdaten mit geeigneten Verteilungen.

Schwerpunkte: Design of Experiments · Prozessfenster · Lebensdatenanalyse

Leistung im Detail

Fachwissen zur Vertiefung

DoE, Erprobung und Prognose bilden eine Kette – von der effizienten Faktoruntersuchung bis zur Lebensdaueraussage.

Fragen, die wir zu Projektbeginn klären

Welche Faktoren beeinflussen Ausbeute und Zuverlässigkeit wirklich?

DoE trennt relevante Effekte, Wechselwirkungen und Messstreuung und liefert ein Modell statt einer Folge unverbundener Einzelversuche.

Ist die Beschleunigung physikalisch noch plausibel?

Stressniveau, Mechanismus und Modellannahmen werden gemeinsam geprüft, bevor Ergebnisse auf Einsatzbedingungen extrapoliert werden.

Wie vergleichen wir Technologien oder Prozessvarianten?

Ein einheitliches statistisches Bewertungsmodell verhindert, dass Stichprobe oder Testdauer den Vergleich unbemerkt verzerren.

Wie wird Equipment-Zuverlässigkeit messbar?

Aus Betriebs-, Fehler- und Wartungsdaten lassen sich Verfügbarkeit, Ausfallmuster und priorisierte Verbesserungsfelder ableiten.

Fachlicher Rahmen

Produkt, Prozess und Equipment gemeinsam betrachten. Halbleiterzuverlässigkeit entsteht an mehreren Schnittstellen. Unsere Methodik verbindet qualifikationsnahe Prüfungen mit Prozessverständnis und der Zuverlässigkeit der eingesetzten Produktions- und Testsysteme.

AEC-Q100-Kontext · IEC 60749 · Power Cycling · SEMI-E10-Kennzahlen

Welche Daten tragen Ihre Halbleiterentscheidung?

Wir ordnen Mechanismus, Versuchsraum und Bewertungsmodell ein und schaffen eine belastbare Auswertungsstrategie.